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GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物

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a8446568160 发表于 2021-4-11 21:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物(GB/T 24579-2009),该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会,英文名为Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy。
酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物(GB/T 24579-2009)是在2009-10-30发布,在2010-06-01开始实施。
该标准采用了标准SEMI MF1724-1104,MOD。
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。本标准适用于各种棒、块、粒、片形多品或单晶硅表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,根据样品重量计算结果。使用的样品重量为50g~300g,栓测限为0.01ng/g。
本标准文件共有12页。
GB_T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物.pdf (527.22 KB)
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