GB/T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

本标准为GB/T 36646-2018，标准的中文名称为制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备，标准的英文名称为Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy，本标准在2018-09-17发布，在2019-01-01开始实施。
本标准规定了制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备(以下简称“HVPE设备”)的产品分类和标记、工作条件、要求、检测方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于制备直径50.8  mm～152.4  mm氮化物半导体材料的HVPE设备。
本标准文件共有18页。
GB_T 36646-2018 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备.pdf (935.77 KB)

2021-4-9 00:58 上传

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