本标准为GB/T 6352-1998，标准的中文名称为半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范，标准的英文名称为Semiconductor devices Discrete devices. Part 6:Thyristors Section One. Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A，本标准在1998-11-17发布，在1999-06-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-6-1-1989,IDT。
本空白详细规范规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
本标准文件共有14页。
GB_T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分_闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范.pdf
(388.32 KB)
|
|
