半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（SJ 20012-1992），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for silicon N-channel depletion mode field-effect transistor of types CS4 GP, GT and GCT classes。
半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（SJ 20012-1992）是在1992-02-01发布，在1992-05-01开始实施。
本规范规定了CS4型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求,该种器件按GJB 33-85《半导体分立器件总规范》的规定提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
本标准文件共有11页。
SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP,GT和GCT级 CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf
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