本标准为GB/T 14863-2013，标准的中文名称为用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法，标准的英文名称为Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes，本标准在2013-12-31发布，在2014-08-15开始实施。
本标准作废日期为2017-12-15。本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。
本标准文件共有14页。 GB_T 14863-2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法.pdf(416.88 KB)
