GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法（GB/T 34481-2017），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices。
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法（GB/T 34481-2017）是在2017-10-14发布，在2018-07-01开始实施。
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm^2、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
本标准文件共有6页。
GB_T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法.pdf (670.11 KB)

2021-4-11 13:12 上传

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