本标准为GB/T 24578-2015,标准的中文名称为硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法,标准的英文名称为Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy,本标准在2015-12-10发布,在2017-01-01开始实施。
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱,定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围为10^9 atoms/cm^2~10^15 atoms/cm^2。本标准同样适用于其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。对良好的镜面抛光表面,可探测深度约5nm,分析深度随表面粗糙度的改善而增大。本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钻、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。
本标准文件共有13页。 GB_T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法.pdf(993.29 KB)