GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法:本标准为GB/T 4058-2009，标准的中文名称为硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法，标准的英文名称为Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers，本标准在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
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GB_T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法.pdf