GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法:砷化镓单晶位错密度的测量方法（GB/T 8760-2006），该标准的归口单位为全国有色金属标准化技术委员会，英文名为Gallium arsenide single crystal-determination of dislocation density。
砷化镓单晶位错密度的测量方法（GB/T 8760-2006）是在2006-07-18发布，在2006-11-01开始实施。
本标准适用于位错密度为(0-100000)个/cm2含的砷化稼单晶的位错密度的测量。检侧面为{111}面和{100}面。
本标准文件共有8页。
GB_T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法.pdf