GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法:本标准为GB/T 11297.6-1989，标准的中文名称为锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法，标准的英文名称为Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal，本标准在1989-10-09发布，在1990-01-01开始实施。
本方法采用硝酸-氢氟酸腐蚀剂腐蚀,适用于锑化铟原始晶片(111)铟面α位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。
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GB_T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法.pdf