GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法:用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法（GB/T 14863-1993），该标准的归口单位为工业和信息化部（电子），英文名为Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes。
用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法（GB/T 14863-1993）是在1993-12-30发布，在1994-10-01开始实施。
它在2014-08-15作废。被标准GB/T 14863-2013替代。
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录Ｂ)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
本标准文件共有10页。
GB_T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法.pdf