GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法:本标准为GB/T 14142-2017，标准的中文名称为硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法，标准的英文名称为Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon. Etching technique，本标准在2017-09-29发布，在2018-04-01开始实施。
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验，硅外延层厚度大于2μm，缺陷密度的测试范围0～10000cm^(-2)。
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GB_T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法.pdf