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GB_T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置.pdf

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上传时间: 2023-12-25
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GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置:

本标准为GB/T 10067.417-2023，标准的中文名称为电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置，标准的英文名称为Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations—Part 417:Silicon carbide crystal growth installations，本标准在2023-05-23发布，在2023-12-01开始实施。
本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。本文件适用于在真空或保护气氛下，采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置，其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
本标准文件共有18页。

标准封面截图：
GB/T 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件第417部分：碳化硅单晶生长装置

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