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GB_T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法.pdf

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GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法:

硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法（GB/T 43315-2023），英文名为Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique。
硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法（GB/T 43315-2023）是在2023-11-27发布，在2024-06-01开始实施。
该标准采用了标准GB/T 14264。
本文件规定了化学腐蚀后用金相显微镜检测硅片流动图形缺陷的方法。本文件适用于电阻率大于1Ω·cm的硅片流动图形缺陷的检测。
本标准文件共有7页。

标准封面截图：
GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测腐蚀法

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