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GB_T 46789-2025 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验.pdf

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GB/T 46789-2025 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验:

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验（GB/T 46789-2025），英文名为Semiconductor devices—Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)。
半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验（GB/T 46789-2025）是在2025-12-02发布，在2026-07-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 62417:2010。
本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变 MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。
本标准文件共有9页。

标准封面截图：
GB/T 46789-2025 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验

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