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GB_T 44937.2-2025 集成电路电磁发射测量第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法.pdf

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集成电路电磁发射测量第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法（GB/T 44937.2-2025），英文名为Integrated circuits—Measurement of electromagnetic emissions—Part 2: Measurement of radiated emissions—TEM cell and wideband TEM cell method。
集成电路电磁发射测量第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法（GB/T 44937.2-2025）是在2025-12-31发布，在2026-07-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 61967-2:2005。
本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM 小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。本方法使用1 GHz TEM 小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM 小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM 小室或GTEM 小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。
本标准文件共有19页。

标准封面截图：
GB/T 44937.2-2025 集成电路电磁发射测量第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法

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