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GB_T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）.pdf

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GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）:

本标准为GB/T 43894.3-2026，标准的中文名称为半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR），标准的英文名称为Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 3:Sector area flatness(ESFQR，ESFQD，ESBIR），本标准在2026-07-02发布，在2027-02-01开始实施。
本标准文件共有11页。

标准封面截图：
GB/T 43894.3-2026 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR）

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