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GB_T 45716.1-2026 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验.pdf

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GB/T 45716.1-2026 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验:

半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（GB/T 45716.1-2026），英文名为Semiconductor devices—Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)—Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs。
半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（GB/T 45716.1-2026）是在2026-04-30发布，在2026-11-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 62373-1:2020。
本文件描述了用于硅基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的快速偏置温度不稳定性基（BTI）试验方法。本文件还界定了与常规 BTI 试验方法有关的术语。
本标准文件共有22页。

标准封面截图：
GB/T 45716.1-2026 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验

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