GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法:半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法（GB/T 17170-2015），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会，英文名为Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy。
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法（GB/T 17170-2015）是在2015-12-10发布，在2016-07-01开始实施。
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10^(6) Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。
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GB_T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法.pdf