GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法:碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 30867-2014），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会;全国半导体设备及材料分技术委员会，英文名为Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers。
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 30867-2014）是在2014-07-24发布，在2015-02-01开始实施。
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。
本标准文件共有7页。
GB_T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法.pdf