GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法:本标准为GB/T 26070-2010，标准的中文名称为化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法，标准的英文名称为Characterization of subsurface damage in poloshed compound semiconductor wafers by reflectance difference spectoracopy method，本标准在2011-01-10发布，在2011-10-01开始实施。
本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
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GB_T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法.pdf