硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法（GB/T 14141-2009），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array。
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法（GB/T 14141-2009）是在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准文件共有10页。
GB_T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法.pdf
(354.67 KB)
|
|
