GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

1106851244 · 发表于 2021-4-12 21:46

硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法（GB/T 14146-2009），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method。
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法（GB/T 14146-2009）是在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。
本标准文件共有9页。

GB_T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法.pdf (324.9 KB)

小玉网络 · 发表于 2021-12-15 04:58

下载很快

lygxty · 发表于 2021-12-22 14:11

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GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

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