硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法（GB/T 1553-2009），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay。
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法（GB/T 1553-2009）是在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量
本标准文件共有15页。 GB_T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法.pdf(624.25 KB)
