高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法（GB/T 24576-2009），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction。
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法（GB/T 24576-2009）是在2009-10-30发布，在2010-06-01开始实施。
该标准采用了标准SMEI M63-0306,IDT。
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AIGaAs,外延层中Al含量的试验方法。本方法适用于在未掺杂GaAs衬底＜001＞方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AIGaAs外延层厚度应大于300 nm。
本标准文件共有9页。
GB_T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法.pdf
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