硅片径向电阻率变化的测量方法（GB/T 11073-2007），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，英文名为Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices。
硅片径向电阻率变化的测量方法（GB/T 11073-2007）是在2007-09-11发布，在2008-02-01开始实施。
被标准 替代。
该标准采用了标准ASTM F81-2001,MOD。
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。
本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10-3Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。
本标准文件共有14页。
GB_T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法.pdf
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