本标准为GB/T 4326-2006，标准的中文名称为非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法，标准的英文名称为Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient，本标准在2006-07-18发布，在2006-11-01开始实施。
该标准采用了标准ASTM F76,NEQ。
本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化稼和磷化稼单晶材料进行了实验室侧量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达10·cm半导体单晶材料的测试。
本标准文件共有16页。
GB_T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法.pdf
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