半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇:电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范（GB/T 13151-2005），该标准的归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会，英文名为Semiconductor devices. Discrete devices. Part 6:thyristors. Section three. Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A。
半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第三篇:电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范（GB/T 13151-2005）是在2005-03-23发布，在2005-10-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-6-3-1993,IDT。
无
本标准文件共有15页。
GB_T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分_晶闸管 第三篇_电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范.pdf
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