GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法

skynx · 发表于 2021-4-12 12:17

本标准为GB/T 19444-2004，标准的中文名称为硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法，标准的英文名称为Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction，本标准在2004-02-05发布，在2004-07-01开始实施。
该标准采用了标准ASTM F1239-1994,IDT。
本标准规定了由测量硅片间隙氧含量的减少量来检验硅片氧沉淀特性的方法原理、取样规则、热处理程序、试验步骤、数据计算等内容。本标准用于定性比较两批或多批集成电路用硅片间隙氧沉淀特性。
本标准文件共有7页。

GB_T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法.pdf (256.54 KB)

p0zb313vd3 · 发表于 2022-4-25 10:32

不错不错

俺是的习性 · 发表于 2022-4-25 11:27

看一下

资本的父亲 · 发表于 2022-4-25 11:28

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GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法

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