MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法（SJ 20789-2000），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Rapid screening test methods for Thermal sensitive parameter of MOS field effect transistor。
MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法（SJ 20789-2000）是在2000-10-20发布，在2000-10-20开始实施。
本规范规定了MOS场效向晶体管热敏参数快速筛选的试验方法。本规范适用于MOS场效用晶体管(以下简称电阻器)热敏参数快速筛选。
本标准文件共有4页。 SJ 20789-2000 MOS场效应晶体管热敏参数快速筛选试验方法.pdf(692.81 KB)
