半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范（GB/T 6590-1998），该标准的归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会，英文名为Semiconductor devices Discrete devices. Part 6: Thyristors Section Two. Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A。
半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范（GB/T 6590-1998）是在1998-11-17发布，在1999-06-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60747-6-2-1991,IDT。
本空白详细规范规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
本标准文件共有14页。
GB_T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分_闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范.pdf
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