GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法

艾的萌帝森 · 发表于 2021-4-10 03:50

硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法（GB/T 35306-2017），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon. Low temperature fourier transform infrared spectrometry。
硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法（GB/T 35306-2017）是在2017-12-29发布，在2018-07-01开始实施。
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5 X 10^(14)atoms·cm^(-3)(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
本标准文件共有10页。

GB_T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法.pdf (553.5 KB)

windows · 发表于 2022-4-8 10:13

强强强强

woainia · 发表于 2022-9-21 09:37

好资源，正好需要

1784073043 · 发表于 2026-11-7 20:44

不错不错

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GB/T 35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

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