本标准为GB/T 14142-1993，标准的中文名称为硅外延层晶体完整性检验方法，标准的英文名称为Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques，本标准在1993-02-06发布，在1993-10-01开始实施。
本标准作废日期为2018-04-01。被标准GB/T 14142-2017替代。
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm,测量范围为0~10000cm-2。
本标准文件共有7页。
GB_T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法.pdf
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