YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法

pugang · 发表于 2021-12-6 21:29

本标准为YS/T 679-2018，标准的中文名称为非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法，标准的英文名称为Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors. Surface photovoltage method，本标准在2018-10-22发布，在2019-04-01开始实施。
本标准规定了非本征半导体材料中少数载流子扩散长度的测试方法，包含稳态光电压法、恒定光通量法和数字示波器记录法。本标准适用于非本征半导体材料，如硅单晶片或相同导电类型重掺衬底上沉积的、已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测试，测试样品(外延层)的厚度大于扩散长度的4倍。本标准可测试样品的电阻率和载流子寿命的极限尚未确定，但已对电阻率0.1 Ω·cm～50 Ω·cm、载流子寿命短至2 ns的P型和N型硅样品进行了测试。本标准还可通过测试扩散长度后计算出硅中的铁含量，具体见附录A。本标准也可用于测试其他半导体材料，如砷化镓样品(需同时调整相应的光照波长(能量)范围和样品制备工艺)等的有效扩散长度，评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品中的有效扩散长度，还可用于测试硅片洁净区宽度，以及太阳能电池和其他光学器件的有效扩散长度。
本标准文件共有27页。

YS_T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法.pdf (4.47 MB)

a101123 · 发表于 2021-12-26 08:50

好资源，正好需要

7lnet · 发表于 2021-12-30 15:25

好东西！！！

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