半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范（SJ 50033/173-2007），该标准的归口单位为信息产业部电子第四研究所，英文名为Semiconductro discrete devices. Detail specification for type 3DA520 silicon microwave pulse power transistor。
半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范（SJ 50033/173-2007）是在2008-01-24发布，在2008-02-01开始实施。
本规范规定了3DA520型硅微波脉冲功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。按GJB 33A-1997中1.3的规定,提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级,分别用字母JP、JT和JCT表示。
本标准文件共有12页。
SJ 50033_173-2007 半导体分立器件 3DA520型硅微波脉冲功率晶体管详细规范.pdf
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