电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管（SJ/T 11226-2000），该标准的归口单位为信息产业部电子工业标准化研究所，英文名为Detail specification for electronic components Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor。
电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管（SJ/T 11226-2000）是在2000-08-16发布，在2000-10-01开始实施。
本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管,它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的,符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的Ⅱ类要求。本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管》、GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》。
本标准文件共有10页。
SJ_T 11226-2000 电子元器件详细规范 3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管.pdf
(1.46 MB)
|
|
