SJ 50033/121-1997 半导体分立器件CS3458-CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范

波涛 · 发表于 2021-12-2 22:46

半导体分立器件CS3458-CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/121-1997），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete devices. Detail specification for type CS3458-CS3460 silicon N-channel junction mode field-effect transistors。
半导体分立器件CS3458-CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/121-1997）是在1997-06-17发布，在1997-10-01开始实施。
本规范规定了CS3458～CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有12页。

SJ 50033_121-1997 半导体分立器件CS3458-CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范.pdf (1.74 MB)

花刺i · 发表于 2022-2-10 00:25

很给力~

超酷小嘀咕 · 发表于 2022-4-20 07:25

强强强强

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SJ 50033/121-1997 半导体分立器件CS3458-CS3460型硅N沟道结型场效应晶体管详细规范

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