半导体分立器件3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范（SJ 50033/67-1995），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type 3CD103 High. Voltage low. Frequency and high. Power transistor。
半导体分立器件3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范（SJ 50033/67-1995）是在1995-05-25发布，在1995-12-01开始实施。
本规范规定了3DD103A～E型高反压低频大功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研究、生产和采购。
本标准文件共有10页。 SJ 50033_67-1995 半导体分立器件3DD103型高压低频大功率晶体管详细规范.pdf(1.66 MB)
