SJ 50033/38-1994 半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

Kean · 发表于 2021-12-5 19:38

半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/38-1994），该标准的归口单位为中国电子技术标准化研究所，英文名为Semiconductor discrete device. Detail specification for type CS4856～CS4861 silicon N-channel deplition mode field-effect transistor。
半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范（SJ 50033/38-1994）是在1994-09-30发布，在1994-12-01开始实施。
本规范规定了CS4856、CS4861型硅N沟道耗尽型结型场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。
本标准文件共有11页。

SJ 50033_38-1994 半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范.pdf (1.64 MB)

XcXp · 发表于 2022-5-22 17:36

支持一下

934600362 · 发表于 2024-1-16 15:56

看看。。。

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SJ 50033/38-1994 半导体分立器件 CS4856～CS4861型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范

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