GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类

Kean · 发表于 2025-6-12 12:16

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类（GB/T 43493.1-2023），英文名为Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects。
半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类（GB/T 43493.1-2023）是在2023-12-28发布，在2024-07-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 63068-1-2019。
本文件给出了 4H-SiC（碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM）、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT）图像等无损检测方法进行识别。
本标准文件共有22页。

GB_T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类.pdf (13.98 MB)

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GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类

GB/T 43493.1-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第1部分：缺陷分类