金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法（SJ/T 11824-2022），英文名为Test method for effective output capacitance and change rate with voltage of metal oxide semiconductor field-effect transistor。
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法（SJ/T 11824-2022）是在2022-10-20发布，在2023-01-01开始实施。
本文件描述了金属氧化物半导体场效应品体管（MOSFET）等效电容和电压变化率的测试方法。本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管。
本标准文件共有10页。 SJ_T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法.pdf(3.32 MB)
