SJ/T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉

散人丶忆枫 · 发表于 2025-6-20 01:28

正压悬浮区熔单晶硅炉（SJ/T 11853-2022），英文名为Single-crystal silicon growing furnace by positive pressure float zone melting。
正压悬浮区熔单晶硅炉（SJ/T 11853-2022）是在2022-10-20发布，在2023-01-01开始实施。
本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、储存。适用于以高纯多晶硅做原料，采用悬浮区熔法进行半导体级单晶硅生长的单晶硅炉。
本标准文件共有14页。

SJ_T 11853-2022 正压悬浮区熔单晶硅炉.pdf (5.5 MB)

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