GB/T 43493.2-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法

13811468160 · 发表于 2025-7-12 14:16

半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法（GB/T 43493.2-2023），英文名为Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection。
半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法（GB/T 43493.2-2023）是在2023-12-28发布，在2024-07-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 63068-2-2019。
本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。
本标准文件共有22页。

GB_T 43493.2-2023 半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法.pdf (11.48 MB)

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