本标准为GB/T 43493.3-2023，标准的中文名称为半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法，标准的英文名称为Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence，本标准在2023-12-28发布，在2024-07-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 63068-3-2020。
本文件提供了商用碳化硅（4H-SiC）同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。
本标准文件共有22页。 GB_T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法.pdf(5.42 MB)
