GB/T 42709.12-2026 半导体器件微电子机械器件第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

zhan大侠 · 发表于 2026-10-28 21:38

半导体器件微电子机械器件第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（GB/T 42709.12-2026），英文名为Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 12: Bending fatigue testing method of thin film materials using resonant vibration of MEMS structures。
半导体器件微电子机械器件第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法（GB/T 42709.12-2026）是在2026-07-30发布，在2027-02-01开始实施。
该标准采用了标准IDT,IEC 62047-12:2011。
本文件描述了采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳的试验方法，采用长度和宽度尺寸都在10 μm~1 000 μm，厚度在1 μm~100 μm的谐振微结构，适用于长度和宽度都小于1 mm，厚度为0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲疲劳试验。用于MEMS的主要结构的薄膜材料常具有微米级的典型尺寸，采用沉积工艺生长，通过光刻等非机械方式加工。通常MEMS结构比非MEMS结构具有更高的固有谐振频率和强度，为了评估和确认MEMS结构的寿命，需加载高至1022次的载荷周期来进行疲劳试验。本文件规定的试验方法，通过高载荷和高频弯曲应力的谐振，在短时间里评估微观尺度材料的机械疲劳特性。
本标准文件共有27页。

GB_T 42709.12-2026 半导体器件微电子机械器件第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法.pdf (4.02 MB)

		自动登录	找回密码
密码			QQ一键登录（新用户自动注册）

GB/T 42709.12-2026 半导体器件 微电子机械器件 第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法

相关帖子

GB/T 42709.12-2026 半导体器件微电子机械器件第12部分：采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳试验方法