GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

烟草 · 发表于 2021-4-11 19:50

纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范（GB/T 33657-2017），该标准的归口单位为全国纳米技术标准化技术委员会，英文名为Nanotechnologies. Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells。
纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范（GB/T 33657-2017）是在2017-05-12发布，在2017-12-01开始实施。
本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
本标准文件共有13页。

GB_T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范.pdf (1.77 MB)

夜の郎 · 发表于 2022-5-16 13:49

很给力~

wuz · 发表于 2022-10-5 13:22

强强强强

		自动登录	找回密码
密码			QQ一键登录

GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

相关帖子

浏览过的版块

GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范

相关帖子

浏览过的版块

GB/T 33657-2017 纳米技术晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范