GB/T 33236-2016 多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法

a178065310 · 发表于 2021-4-13 01:02

本标准为GB/T 33236-2016，标准的中文名称为多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法，标准的英文名称为Polycrystalline silicon. Determination of trace elements. Glow discharge mass spectrometry method，本标准在2016-12-13发布，在2017-11-01开始实施。
本标准规定了采用辉光放电质谱（GD-MS)法测量多晶硅中杂质元素的测试方法。本标准适用于多晶硅材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测量范围是本方法的检出限至0.1%（质量分数），检出限根据所用仪器及测量条件确定。通过合适的标准样品校正，也可以测量质量分数大于0.1％的杂质元素含量。单晶硅材料中痕量杂质元素也可参照本标准测量。
本标准文件共有13页。

GB_T 33236-2016 多晶硅痕量元素化学分析辉光放电质谱法.pdf (868.63 KB)

lbj23 · 发表于 2022-1-12 06:04

好东西！！！

1593738006@qq.c · 发表于 2022-1-13 18:54

看看怎样

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GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法

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