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GB/T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

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小蜜蜂 发表于 2021-4-12 20:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求(GB/T 13539.4-2016),该标准的归口单位为全国熔断器标准化技术委员会,英文名为Low-voltage fuses. Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices。
低压熔断器 第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求(GB/T 13539.4-2016)是在2016-04-25发布,在2016-11-01开始实施。
该标准采用了标准IEC 60269-4-2012,IDT。
本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体,该熔断体适用于标称电压不超过交流1000V或直流1500V的电路。如适用,还可用于更高的标称电压的电路。
本标准文件共有44页。
GB_T 13539.4-2016 低压熔断器 第4部分_半导体设备保护用熔断体的补充要求.pdf (2.91 MB)
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hadada 发表于 2022-3-12 00:43 | 显示全部楼层
看看先
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muqiang 发表于 2022-4-15 08:31 | 显示全部楼层
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