采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法（GB/T 32651-2016），该标准的归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会，英文名为Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry。
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法（GB/T 32651-2016）是在2016-04-25发布，在2016-11-01开始实施。
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、 钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co),镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
本标准文件共有12页。
GB_T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法.pdf
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