本标准为SJ/T 1486-2016，标准的中文名称为半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范，标准的英文名称为Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor，本标准在2016-04-05发布，在2016-09-01开始实施。
本标准适用于3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管。
本标准文件共有12页。 SJ_T 1486-2016 半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范.pdf(5.79 MB)
